| 型号：FQB4N80TM | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK |
| 系列 | QFET™ |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 3.9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3.6 欧姆 @ 1.95A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 25nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 880pF @ 25V |
| 功率_最大 | 3.13W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263-2 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市嘉万骏科技有限公司 | 林小姐0755*83682918 |
| 深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
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